薄膜電池的優(yōu)勢和風險分析從技術上講，最為成熟的薄膜太陽能電池當屬硅基薄膜太陽能電池，包括非晶硅薄膜太陽能電池和非晶硅/微晶硅雙疊層薄膜太陽能電池，在進行薄膜電池投資或研究時，應著重考慮原材料擁有量和技術進步的風險。薄膜電池會首先在歐美日等國家和地區(qū)大規(guī)模開發(fā)，晶體硅太陽能電池等較為成熟的技術將向中國及其他發(fā)展中國家轉移。

當前太陽能電池產業(yè)的主流技術為晶體硅太陽能電池，包括單晶硅太陽能電池和多晶硅太陽能電池。經過近幾年太陽能電池產業(yè)的發(fā)展，其效率已經有了很大提高，成本也大幅度下降。目前大規(guī)模生產的單晶硅太陽能電池的平均光電轉化效率可以達到16.5%至17%之間，而多晶硅太陽能電池的平均光電轉化效率達到15.5%。晶體硅太陽能電池的主要問題是產業(yè)鏈的工藝復雜，因此，將晶體硅太陽能電池的成本大幅度降低會遇到較大困難。在降低成本方面，薄膜太陽能電池漸漸顯示出了它的競爭力。

硅基薄膜太陽能電池技術相對成熟

目前，從技術上講，最為成熟的薄膜太陽能電池當屬硅基薄膜太陽能電池，包括非晶硅薄膜太陽能電池和非晶硅/微晶硅雙疊層薄膜太陽能電池，其中非晶硅薄膜太陽能電池在上世紀80年代就已經開始較大規(guī)模的批量化生產，但是后來發(fā)現(xiàn)該種電池存在光致衰退現(xiàn)象，而且其效率提高得很緩慢，因此在上世紀90年代晶體硅太陽能電池產量擴大的情況下，非晶硅薄膜太陽能電池的生產所占的比例越來越低了。直至最近，太陽能發(fā)電市場的不斷擴大，以及由此造成的硅材料短缺日益嚴重，使得人們加緊了硅基薄膜太陽能電池的研發(fā)。人們的主要目標是提高效率，提高穩(wěn)定性，降低制造成本，其基本技術是使用pECVD（等離子增強化學氣相淀積）技術沉積非晶硅或微晶硅薄膜，襯底是低廉的玻璃或不銹鋼材料。

目前非晶硅單層薄膜的光電轉化效率為6%，光致衰退率可以控制在初始效率值的15%左右。也就是說，在剛制備的電池組件的效率為8%，經過幾個月的日照之后，其效率達到6%左右，并最終穩(wěn)定在這個值。這種特性可以為當前的消費者所接受。目前新近開發(fā)出的非晶硅/微晶硅雙疊層太陽能電池可以達到8.5%的穩(wěn)定效率，而其光致衰退更小，但是由于其工藝較復雜，產業(yè)規(guī)模不大，致使其成本仍較高。實際上，目前研究機構和產業(yè)界都在加緊研究硅基薄膜太陽能電池的大規(guī)模產業(yè)化技術，各方都投入了巨資進行新產品的研發(fā)，其中包括世界頂級半導體設備制造商美國的應用材料公司、歐洲的Oerlikon公司、日本的日本真空公司、德國的萊寶真空公司、美國的EpV公司等。這些公司可以提供成套的非晶硅或者非晶硅/微晶硅雙疊層太陽能電池制造設備以及相匹配的生產制造工藝。

硅基薄膜電池出現(xiàn)投資熱潮

在世界范圍內出現(xiàn)了硅基薄膜電池的投資熱潮。研究機構目前已經描繪了五代硅基薄膜太陽能電池工藝技術：第一代非晶硅單結薄膜太陽能電池、第二代非晶硅/非晶硅雙結薄膜太陽能電池、第三代非晶硅/微晶硅雙結薄膜太陽能電池、第四代非晶硅/非晶硅鍺雙結或三結薄膜太陽能電池、第五代非晶硅/非晶硅鍺/微晶硅三結薄膜太陽能電池。目前在產業(yè)化領域中的主要技術仍舊是前兩者，但是第三代硅基薄膜太陽能電池將在2009年或2010年投入大規(guī)模生產，屆時第一代和第二代技術將退出產業(yè)界。

在生產線技術方面依關鍵的pECVD沉積系統(tǒng)分類，可以劃分出以下5種設備模式：單室多片pECVD沉積系統(tǒng)(EpV、BudaSolar)、串聯(lián)線列式多室單片pECVD沉積系統(tǒng)(日本真空)、并聯(lián)線列式多室單片pECVD沉積系統(tǒng)(萊寶真空)、團簇式多室單片pECVD沉積系統(tǒng)(應用材料公司)、單多片混合型pECVD沉積系統(tǒng)(Oerlikon公司)。