緩存器具有的特性曲線如圖2所示。由于緩存器設(shè)計中所用的NMOS和pMOS開關(guān)管實際上是用作電壓控制電阻器。這些芯片所表現(xiàn)的特性如下：

Vgs>Vt—>晶體管導(dǎo)通

Vgs晶體管關(guān)斷

Vt被定義為門限電壓，當(dāng)高于該電壓時在源極和漏極之間形成導(dǎo)電溝道。NMOS晶體管的Vt為0.9V，pMOS晶體管的Vt為－0.9V。因此，當(dāng)輸入電壓是0V時，pMOS（M1）處于導(dǎo)通狀態(tài)，第一級的輸出是Vdd。在第二級中，NMOS（M5）器件處于導(dǎo)通狀態(tài)，緩存器總輸出為0V。緩存器輸入電壓增加時（在達(dá)到最大電流以前）會引起M1的阻抗增加（M1開始關(guān)斷）以及M5的阻抗下降（M5開始導(dǎo)通），這時我們將會看到Vdd和GND之間形成的低阻抗通道。進(jìn)一步提高輸入電壓會使緩存器的輸入輸出晶體管對中只有一只晶體管導(dǎo)通。

我們運用上述原理繼續(xù)分析模擬開關(guān)實例，考慮使用ADI公司的ADG884模擬開關(guān)在手機(jī)的合弦振鈴器和語音之間切換。來自數(shù)字基帶芯片的控制信號為1.8V。如圖2所示，若用1.8V的數(shù)字信號直接驅(qū)動模擬開關(guān)，則電源電流應(yīng)為120μA。如果模擬開關(guān)的數(shù)字輸入電壓高于3.8V，那么功耗實際上應(yīng)為0。因此為了使模擬開關(guān)工作在最低功耗區(qū)域，數(shù)字基帶芯片的數(shù)字信號需要變換為更高的電壓。采用ADI公司的SC70超小封裝并且通常僅消耗0.1μA電流的ADG3301作為電平變換器非常適合這項工作。如圖3所示，它可以與基帶芯片的電源電壓和模擬開關(guān)的電源電壓連接并且在兩顆芯片之間轉(zhuǎn)換邏輯電平。