鋰電池保護(hù)板組成

1、控制ic，2、開關(guān)管，另外還加一些微容和微阻而組成。控制ic作用是對(duì)電池的保護(hù)，如達(dá)到保護(hù)條件就控制mos進(jìn)行斷開或閉合（如電池達(dá)到過充、過放、短路、過流、等保護(hù)條件），其中mos管的作用就是開關(guān)作用，由控制ic開控制。

鋰電池（可充型）之所以需要保護(hù)，是由它本身特性決定的。由于鋰電池本身的材料決定了它不能被過充、過放、過流、短路及超高溫充放電，因此鋰電池鋰電組件總會(huì)跟著一塊精致的保護(hù)板和一片電流保險(xiǎn)器出現(xiàn)。鋰電池的保護(hù)功能通常由保護(hù)電路板和PTC協(xié)同完成，保護(hù)板是由電子電路組成，在-40℃至+85℃的環(huán)境下時(shí)刻準(zhǔn)確的監(jiān)視電芯的電壓和充放回路的電流。

02

保護(hù)板的工作原理

1、過充保護(hù)及過充保護(hù)恢復(fù)

當(dāng)電池被充電使電壓超過設(shè)定值VC(4.25-4.35V，具體過充保護(hù)電壓取決于IC)后，VD1翻轉(zhuǎn)使Cout變?yōu)榈碗娖剑琓1截止，充電停止.當(dāng)電池電壓回落至VCR(3.8-4.1V，具體過充保護(hù)恢復(fù)電壓取決于IC)時(shí)，Cout變?yōu)楦唠娖剑琓1導(dǎo)通充電繼續(xù)，VCR必須小于VC一個(gè)定值，以防止頻繁跳變。

2、過放保護(hù)及過放保護(hù)恢復(fù)

當(dāng)電池電壓因放電而降低至設(shè)定值VD（2.3-2.5V，具體過充保護(hù)電壓取決于IC）時(shí)，VD2翻轉(zhuǎn)，以短時(shí)間延時(shí)后，使Dout變?yōu)榈碗娖剑琓2截止，放電停止，當(dāng)電池被置于充電時(shí)，內(nèi)部或門被翻轉(zhuǎn)而使T2再次導(dǎo)通為下次放電作好準(zhǔn)備。

3、過流、短路保護(hù)

當(dāng)電路充放回路電流超過設(shè)定值或被短路時(shí)，短路檢測(cè)電路動(dòng)作，使MOS管關(guān)斷，電流截止。

03

保護(hù)板主要零件的功能介紹

R1：基準(zhǔn)供電電阻；與IC內(nèi)部電阻構(gòu)成分壓電路，控制內(nèi)部過充、過放電壓比較器的電平翻轉(zhuǎn)；一般在阻值為330Ω、470Ω比較多；當(dāng)封裝形式（即用標(biāo)準(zhǔn)元件的長(zhǎng)和寬來表示元件大小，如0402封裝標(biāo)識(shí)此元件的長(zhǎng)和寬分別為1.0mm和0.5mm）較大時(shí)，會(huì)用數(shù)字標(biāo)識(shí)其阻值，如貼片電阻上數(shù)字標(biāo)識(shí)473，即表示其阻值為47000Ω即47KΩ（第三位數(shù)表示在前兩位后面加0的位數(shù)）。

R2：過流、短路檢測(cè)電阻；通過檢測(cè)VM端電壓控制保護(hù)板的電流，焊接不良、損壞會(huì)造成電池過流、短路無保護(hù)，一般阻值為1KΩ、2KΩ較多。

R3：ID識(shí)別電阻或NTC電阻（前面有介紹）或兩者都有。

總結(jié)：電阻在保護(hù)板中為黑色貼片，用萬用表可測(cè)其阻值，當(dāng)封裝較大時(shí)其阻值會(huì)用數(shù)字表示，表示方法如上所述，當(dāng)然電阻阻值一般都有偏差，每個(gè)電阻都有精度規(guī)格，如10KΩ電阻規(guī)格為+/－5％精度則其阻值為9.5KΩ－10.5KΩ范圍內(nèi)都為合格。

C1、C2：由于電容兩端電壓不能突變，起瞬間穩(wěn)壓和濾波作用。總結(jié)：電容在保護(hù)板中為黃色貼片，封裝形式0402較多，也有少數(shù)0603封裝(1.6mm長(zhǎng),0.8mm寬)；用萬用表檢測(cè)其阻值一般為無窮大或MΩ級(jí)別；電容漏電會(huì)產(chǎn)生自耗電大，短路無自恢復(fù)現(xiàn)象。FUSE：普通FUSE或PTC（PositiveTemperatureCoefficient的縮寫，意思是正溫度系數(shù)）；防止不安全大電流和高溫放電的發(fā)生，其中PTC有自恢復(fù)功能。

總結(jié)：FUSE在保護(hù)板中一般為白色貼片，LITTE公司提供FUSE會(huì)在FUSE上標(biāo)識(shí)字符D-T，字符表示意思為FUSE能承受的額定電流，如表示D額定電流為0.25A，S為4A，T為5A等。

U1：控制IC；保護(hù)板所有功能都是IC通過監(jiān)視連接在VDD-VSS間的電壓差及VM-VSS間的電壓差而控制C-MOS執(zhí)行開關(guān)動(dòng)作來實(shí)現(xiàn)的。

Cout：過充控制端；通過MOS管T2柵極電壓控制MOS管的開關(guān)。

Dout：過放、過流、短路控制端；通過MOS管T1柵極電壓控制MOS管的開關(guān)。

VM：過流、短路保護(hù)電壓檢測(cè)端；通過檢測(cè)VM端的電壓實(shí)現(xiàn)電路的過流、短路保護(hù)

（U（VM）=I*R（MOSFET））。

總結(jié)：IC在保護(hù)板中一般為6個(gè)管腳的封裝形式，其區(qū)別管腳的方法為：在封裝體上標(biāo)識(shí)黑點(diǎn)的附近為第1管腳，然后逆時(shí)針旋轉(zhuǎn)分別為第2、3、4、5、6管腳；如封裝體上無黑點(diǎn)標(biāo)識(shí)，則正看封裝體上字符左下為第1管腳，其余管腳逆時(shí)針類推）C-MOS：場(chǎng)效應(yīng)開關(guān)管；保護(hù)功能的實(shí)現(xiàn)者；連焊、虛焊、假焊、擊穿時(shí)會(huì)造成電池?zé)o保護(hù)、無顯示、輸出電壓低等不良現(xiàn)象。

總結(jié)：CMOS在保護(hù)板中一般為8個(gè)管腳的封裝形式，它時(shí)由兩個(gè)MOS管構(gòu)成，相當(dāng)于兩個(gè)開關(guān)，分別控制過充保護(hù)和過放、過流、短路保護(hù)；其管腳區(qū)分方法和IC一樣。

在保護(hù)板正常情況下，Vdd為高電平，Vss、VM為低電平，Dout、Cout為高電平；當(dāng)Vdd、Vss、VM任何一項(xiàng)參數(shù)變換時(shí)，Dout或Cout的電平將發(fā)生變化，此時(shí)MOSFET執(zhí)行相應(yīng)的動(dòng)作（開、關(guān)電路），從而實(shí)現(xiàn)電路的保護(hù)和恢復(fù)功能。