鈣鈦礦(Perovskite)基材已被拉攏到太陽能光伏效應(PV)的太陽能電池(SolarCell)產(chǎn)業(yè)，這是由于基于鈣鈦礦材料將輕易制造對抗溫室效應的解決方案，加上該材料的轉換效率從2009年僅僅3.8%提升到2014年超過20%，因此鈣鈦礦材料制作而成的太陽能電池，在2016年可望進入商用市場。

鈣鈦礦也有很多其他的可調諧半導體特性，如高溫超導(High-temperatureSuperconductivity)、龐大的磁阻、鐵電，以及多樣化的磁性與光電性能。這讓研究人員思考--若是矽太陽能電池可以也被制作成不同的半導體晶片，為何鈣鈦礦基材不行呢？

早期研究人員曾嘗試從材料制造場效電晶體(FET)，然而得到“有限的成功”，這是根據(jù)位于北卡羅來納州溫斯頓-塞勒姆的維克森林大學(WakeForestUniversity)教授OanaJurchescu的研究結果，Jurchescu教授也聲稱他的研究小組是第一個成功利用鈣鈦礦鹵化物(Halide-Perovskite)制作出場效電晶體的團隊。這可能在靈活性、低成本、低功耗的光電半導體開創(chuàng)一個新紀元，類似于互補式金屬氧化物半導體(CMOS)在彈性的基板上處理光訊號。

CH3NH3PbI3-xClx混合鈣鈦礦鹵化物晶體結構。鉛(黃色球)和鹵化物(I/CI，粉紅球)各別位在八面體的中心和角部，有機陽離子則位于空隙。

“混合鈣鈦礦鹵化物場效電晶體(HHP-FET)能促進光電互補的發(fā)展。”Jurchescu教授告訴EETimes。他也補充說明，這項工作是與猶他州立大學(UniversityofUtah)共同合作。

從光學角度切入，因為“發(fā)光二極體(LED)基于這些媲美市場上最好的化合物。”這是根據(jù)Jurchescu教授的說法。此外，HHP-FET半導體也可表現(xiàn)出波長可調光致發(fā)光(Photoluminescence，PL)發(fā)射，包括制造電泵浦雷射，以及有擴散長度數(shù)百微米的電荷載體。該材料具有自旋相關(Spin-related)屬性，盡管基于較強的自旋-軌跡(Spin-orbit)耦合而有相對短的自旋壽命。

好消息是，Jurchescu教授能夠以同樣的載體流動性，展示互補的N型(N-type)與P型(P-type)元件，讓類CMOS(CMOS-like)鈣鈦礦半導體能在未來問世。壞消息則是，Jurchescu教授目前的原型顯示出一個1cm2/Vs電子遷移率，相較于矽材料的1,400cm2/Vs的電子離動率，可說慘澹許多。然而，理論上HHP-FET最大的電子遷移率是2,000cm2/Vs--即使高過矽，但卻伴隨著300cm2/Vs的空穴遷移率(與矽材料的450cm2/Vs相比)。研究人員也發(fā)現(xiàn)HHP-FET在良率、可運作性及環(huán)定穩(wěn)定性也比不上矽，這或許可從任何新的半導體材料預料得到。

“如同你指出的，在我們的HHP-FET得到的流動性比那些矽材料的紀錄還低。”然而這些材料仍具有其他幾個優(yōu)點。其中一個優(yōu)勢是比起矽制程，其相容性允許裝置可在低成本和一般環(huán)境條件下制造，如同沉積在任何類型的基板，包含彈性和可撓曲基板。此外，平衡空穴和電子傳輸建議方面，在互補光電應用中，這些材料是可被結合的，因為這樣的性能水準就已足夠。最后，這僅僅是最原始的第一代裝置，其被預測的流動率數(shù)值就已相當優(yōu)越，我敢肯定，也許透過更好的工程裝置，流動性將能有所改善。