自放電的測試方法：

1.測量蓄電池?cái)R置一段時(shí)間后的容量損失：自放電研究的本初目的就是研究蓄電池?cái)R置后的容量損失。但是，以下原因造成測試容量損失在執(zhí)行上困難重重：A.充電過程中的不可逆程度過大，即使充電后馬上進(jìn)行放電，放電容量/充電容量值都很難保證在100%±0.5%以內(nèi)。如此大的誤差，就要求測試之間的擱置時(shí)間必須非常長。而這很顯然不符合日常加工的需求。B.測試容量時(shí)要大量電力和人力物力，過程復(fù)雜且新增了成本。基于以上兩個(gè)考慮，一般不會(huì)將測量擱置后放電容量比較之前充電容量的損失來作為蓄電池的自放電標(biāo)準(zhǔn)。

2.測量一段時(shí)間內(nèi)的K值：衡量自放電程度的一個(gè)非常重要的指標(biāo)K值=△OCV/△t。K值常見單位為mV/d，當(dāng)然這跟廠子自己的標(biāo)準(zhǔn)（或者廠子老大的個(gè)人喜好）、蓄電池本身的性能、測量條件等有關(guān)。測量兩次電壓計(jì)算K值的方法更為簡便且誤差更小，因此K值是衡量蓄電池自放電的常規(guī)性方法。以下文字可能會(huì)將K值與自放電混用，請大家注意。

該電路重要由鋰蓄電池保護(hù)專用集成電路DW01，充、放電控制MOSFET1(內(nèi)含兩只N溝道MOSFET)等部分組成，單體鋰蓄電池接在B+和B-之間，蓄電池包從P+和P-輸出電壓。

充電時(shí)，充電器輸出電壓接在P+和P-之間，電流從P+到單體蓄電池的B+和B-，再經(jīng)過充電控制MOSFET到P-。在充電過程中，當(dāng)單體蓄電池的電壓超過4.35V時(shí)，專用集成電路DW01的OC腳輸出信號使充電控制MOSFET關(guān)斷，鋰蓄電池立即停止充電，從而防止鋰蓄電池因過充電而損壞。

放電過程中，當(dāng)單體蓄電池的電壓降到2.30V時(shí)，DW01的OD腳輸出信號使放電控制MOSFET關(guān)斷，鋰蓄電池立即停止放電，從而防止鋰蓄電池因過放電而損壞，DW01的CS腳為電流檢測腳，輸出短路時(shí)，充放電控制MOSFET的導(dǎo)通壓降劇增，CS腳電壓迅速升高，DW01輸出信號使充放電控制MOSFET迅速關(guān)斷，從而實(shí)現(xiàn)過電流或短路保護(hù)。