讓石墨烯(graphene)成為半導體矽材料的接班人，已經成為美國、日本、歐洲甚至是中國等地政府大力支持的優先研究項目；但因為石墨烯缺乏能隙(bandgap)的自然特性，美國麻省理工學院(MIT)與哈佛大學(HarvardUniversity)的研究人員認為大家可能都搞錯了方向，應該是找尋性能媲美石墨烯、但具備能隙的化合物材料。

研究人員指出，有一類以NiHITP(nickelhexa-imino-triphenylene)為代表的材料，就擁有上述特性。MIT化學教授MirceaDinca表示：「就像石墨可剝離為石墨烯(也不過就是片狀的石墨)，我們所開發的材料也能剝離成片狀；相較于石墨烯層，我們的材料層是能透過受控制的化學改質(chemicalmodification)來調節，因此能有系統地改變其電子特性。」

該種新開發材料的正式名稱是「Ni3(HITP)2」，因為它鍵合了鎳(Ni)的3個原子以及2個HITP有機分子；不過NiHITP只是一個具備天然能隙之材料類別中的第一種，能針對特定應用在原子等級調節其電子功能。