作為活性物質(zhì)，硅在充電/放電周期內(nèi)插入和脫出鋰時，體積變化達(dá)到270%，循環(huán)壽命差。這個體積膨脹會導(dǎo)致：

（1）硅顆粒的粉碎，以及涂層從銅集流體中分離；

（2）固體電解質(zhì)（SEI）膜在循環(huán)過程中不穩(wěn)定性，體積膨脹使SEI破裂并再不斷反復(fù)形成，導(dǎo)致鋰離子電池的失效。

壓實工序會使固相接觸更緊密，提高極片的電子傳輸性能。但是，孔隙率太低又會新增鋰離子傳輸阻力，和電極/電解液界面電荷轉(zhuǎn)移阻抗，倍率性能變差。

一般，石墨電極孔隙率優(yōu)化控制在20%-40%，而硅基電極，壓實后性能變差，這些極片通常孔隙率60%-70%，高孔隙率能夠協(xié)調(diào)硅基材料的體積膨脹，緩沖顆粒劇烈變形，減緩粉化和脫落。但是，高孔隙率硅基負(fù)極極片限制了體積能量密度。那么，鋰離子電池硅基負(fù)極極片該如何制備呢？KarkarZ等人研究了硅電極的制備工藝。

首先，他們采用了兩種攪拌方式制備80wt%的硅，12wt%的石墨烯和8wt%的CMC電極漿料：

（1）SM：常規(guī)的球磨分散工藝；

（2）RAM：兩步超聲分散工藝，第一步在PH3緩沖溶液（0.17M檸檬酸+0.07MKOH）中超聲分散硅和CMC，第二步加入石墨烯片和水繼續(xù)超聲分散。

關(guān)于石墨片，超聲分散RAM保持了石墨烯片原始形貌，片長大于10μm，與集流體平行分布，涂層孔隙率更高，而SM攪拌使石墨烯片斷裂，石墨烯片長只有幾微米。未壓實的RAM極片孔隙率約72%，大于SM電極的60%。

關(guān)于硅，兩種攪拌方式無差別。納米片狀石墨烯具有良好的電子導(dǎo)通能力，RAM分散保持了石墨烯片的完整性，電池循環(huán)性能好（圖3a和b）。

然后，他們研究了壓實對電極的孔隙率、密度以及電化學(xué)性能的影響。如圖1所示，壓實后，石墨烯片和硅的形貌沒有顯著變化，只是涂層更加密實。將極片制作成半電池測試電化學(xué)性能，從圖2可知：

（1）隨著壓實壓力新增，電極孔隙率降低，密度新增，體積比容量新增。

（2）未壓實極片，RAM孔隙率大約72%，大于SM電極的60%。而且RAM電極壓實更加困難，達(dá)到35%孔隙率，RAM電極要15T/cm2壓力，而SM極片只要5T/cm2。這是因為石墨烯片變形困難，RAM極片保持了石墨烯片狀結(jié)構(gòu)，更難壓實。

（3）依據(jù)完全鋰化硅體積膨脹193%計算體積比容量。20T/cm2壓實下，體積比容量最大，RAM和SM電極孔隙率分為34%、27%，對應(yīng)體積比容量分別1300mAh/cm3、1400mAh/cm3。

另外，他們還發(fā)現(xiàn)壓實極片熟化處理能改善循環(huán)性能。極片壓實時，粘結(jié)劑與活物質(zhì)顆粒可能在顆粒之間的摩擦力用途下斷裂，甚至粘結(jié)劑本身鍵斷裂，從而極片機(jī)械穩(wěn)定性變差，循環(huán)性能裂化（圖4a）。

而熟化過程是把極片放置在濕度80%的環(huán)境下2~3天，在這個過程中，粘結(jié)劑會發(fā)生遷移，更好地鋪展在活物質(zhì)顆粒表面，重新建立更多更牢的連接，另外，熟化時銅箔會發(fā)生腐蝕，銅箔與粘結(jié)劑形成Cu（OC（=O）-R）2化學(xué)鍵，結(jié)合力新增，也會抑制涂層脫落。因此，熟化處理能夠提高極片穩(wěn)定性和循環(huán)性能。

分散-壓實-熟化過程極片的微觀結(jié)構(gòu)變化示意圖如圖4c所示，壓實導(dǎo)致粘結(jié)劑斷裂，循環(huán)穩(wěn)定性變差，而熟化時粘結(jié)劑遷移重新建立連接，極片微觀結(jié)構(gòu)發(fā)生變化，機(jī)械穩(wěn)定性提升，相應(yīng)循環(huán)性能提升。

假如先對極片熟化處理，再壓實，極片循環(huán)性能有所改善，但是效果不明顯（圖4b）。這是由于熟化增強了極片機(jī)械穩(wěn)定性，但是隨后的壓實又破壞了粘結(jié)劑的連接。

因此，關(guān)于硅基電極，為了提高循環(huán)性能，緩沖硅的體積膨脹，極片孔隙率要高，但是為了提高體積能量密度，壓實極片降低極片厚度時，要在進(jìn)行極片熟化處理改善電極微觀結(jié)構(gòu)。