鋰離子電池芯片功能用途

1、保護(hù)芯片正常情況下運(yùn)轉(zhuǎn)：

保護(hù)芯片上MOS管一開(kāi)始很有可能正處于關(guān)掉狀況，電池接好保護(hù)芯片后，務(wù)必先開(kāi)啟MOS管，P+與P-端才有輸出電壓，開(kāi)啟適用最簡(jiǎn)單的方法用一輸電線把B-與P-接線。

2、過(guò)工作電流產(chǎn)品檢驗(yàn)的設(shè)計(jì)構(gòu)思

當(dāng)VM接線端子工作電壓高于過(guò)工作電流1產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓，并且這一個(gè)狀況在過(guò)工作電流1產(chǎn)品檢驗(yàn)響應(yīng)時(shí)間上述時(shí)，關(guān)掉放電用的FET進(jìn)而終止放電。

當(dāng)VM接線端子工作電壓高于過(guò)工作電流2產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓，并且這一個(gè)狀況在過(guò)工作電流2產(chǎn)品檢驗(yàn)響應(yīng)時(shí)間上述時(shí)，關(guān)掉放電用的FET進(jìn)而終止放電。

3、過(guò)電壓產(chǎn)品檢驗(yàn)的設(shè)計(jì)構(gòu)思

當(dāng)鋰離子電池突然出現(xiàn)過(guò)充電時(shí)，過(guò)頭充電比較器跳變，過(guò)充電產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓VCU從H變成L,經(jīng)由過(guò)充電產(chǎn)品檢驗(yàn)響應(yīng)時(shí)間后，全面禁止電池充電。與此同時(shí)，開(kāi)關(guān)電源電路的導(dǎo)出TCU為H,經(jīng)由一個(gè)反饋電路使過(guò)充電比較器的輸入工作電壓升高，所以電池電壓務(wù)必降低更多才能使比較器導(dǎo)出變?yōu)镠.這就實(shí)現(xiàn)了過(guò)充電遲滯工作電壓的設(shè)計(jì)過(guò)程。

當(dāng)電池過(guò)放電時(shí)，過(guò)放電產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓VDL從H變?yōu)長(zhǎng),經(jīng)由時(shí)間TDL后，全面禁止電池放電。此時(shí)，根據(jù)0V充電全面禁止模塊使VM升高，進(jìn)而五個(gè)比較器的使能端SD跳變?yōu)闊o(wú)效狀況，此時(shí)開(kāi)關(guān)電源電路中的五個(gè)比較器都不運(yùn)轉(zhuǎn)，并且振蕩器也不運(yùn)轉(zhuǎn)，開(kāi)關(guān)電源電路步入休眠模式。當(dāng)VM降低使SD再次發(fā)生改變時(shí)，開(kāi)關(guān)電源電路解除休眠模式。休眠模式的工作電流不能高于100nA.

4、過(guò)流保護(hù)：

在P+與P-上接好一合適的負(fù)載后，電池開(kāi)始放電其電流方向如I2，工作電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極，(這個(gè)時(shí)候MOS2被D2短路);當(dāng)負(fù)載突然之間減小，IC根據(jù)VM引腳取樣到突然之間變大工作電流而出現(xiàn)的工作電壓這個(gè)時(shí)候IC取樣并傳出指令，讓MOS1結(jié)束，控制回路斷開(kāi)，電池被保護(hù)了。

5、過(guò)流保護(hù)電路：

在P+與P-上接上空負(fù)載后，電池開(kāi)始放電其電流方向如I2，工作電流從電池的正極經(jīng)負(fù)載、D2、MOS1到電池的負(fù)極，(這個(gè)時(shí)候MOS2被D2短路);IC根據(jù)VM引腳取樣到突然之間變大工作電流而出現(xiàn)的工作電壓這個(gè)時(shí)候IC取樣并傳出指令，讓MOS1結(jié)束，控制回路斷開(kāi)，電池被保護(hù)了。

鋰離子電池芯片工作原理

1.鋰電保護(hù)芯片休眠模式

CW1055步入過(guò)放保護(hù)狀況，并高于休眠模式延長(zhǎng)時(shí)間時(shí)間(Tslp)，則CW1055會(huì)步入休眠模式。DO維持低電平，CO維持高阻態(tài)，維護(hù)目前擁有充放電MOSFET的狀況。休眠模式解除條件：VM工作電壓正處于Vslp工作電壓以下。

2.通常狀況的工作原理

通常狀況下，即電池電壓在過(guò)放電產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓(VDL)上述且在過(guò)充電產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓(VCU)以下，VM接線端子的工作電壓在充電器產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓(VCHA)上述且在過(guò)工作電流1產(chǎn)品檢驗(yàn)工作電壓以下的情況下，設(shè)計(jì)構(gòu)思振蕩器模塊不運(yùn)轉(zhuǎn)，充電控制用MOSFET和放電控制用MOSFET的兩方均打開(kāi)。這個(gè)時(shí)候也可以開(kāi)展自由的充電和放電。