充電器反接會損壞DS2726鋰離子(Li+)電池保護器。由于有些器件引腳對負電壓非常敏感，導致器件不能正常工作，雖然DS2726的高邊p溝道FET關斷，但該器件的一些引腳仍無法承受負電壓，本文在介紹DS2726的基礎上，提出了兩種保護方法：一種方法是新增肖特基二極管以箝位DS2726相應引腳電壓；另一種方法是提高這些對負電壓敏感的引腳阻抗，以限制電流，功耗。通過這些簡單設計方法使DS2726能夠在充電器反接的情況下不被損壞。

2DS2726簡介

DS2726是一款集成電壓、電流檢測和電池均衡功能的獨立保護器件，可用于5～10節鋰離子(Li+)電池組。

DS2726采用高端p溝道保護FET實現過壓、欠壓、放電電流和短路保護。保護電路監測每節電池的電壓以檢測過壓和欠壓狀態。另外，高端保護允許主系統在故障狀態導致保護FET關斷的情況下，仍能與DS2788等電量計保持通信。

DS2726無需通過外部微控制器配置器件，簡化了設計并降低了成本?？赏ㄟ^引腳設置電壓保護和電池均衡門限；過度放電和短路電流限制則由外部電阻設置；過度放電和短路電流超時延時由外部電容設置。

DS2726在供應可靠保護的同時能夠保證所有電池被均勻地充電，從而延長電池使用壽命。電池均衡期間，內部開關可供應150mA(典型值)旁路電流。電池均衡可以在檢測到充電器時自動開啟，或通過控制引腳上的信號開啟，提高了靈活性。

DS2726供應節省空間的7mm×7mm、32引腳TQFN封裝。DS2726可為5~10節鋰離子(Li+)電池組供應完備的充電和放電保護。保護電路分別監測各節電池電壓，以檢測是否處于過壓和欠壓狀態。用戶可通過外部電阻設置限流門限，以保護器件免受過放電電流和短路電流的損壞。采用高邊p溝道保護FET，由片上10VFET驅動器驅動。電池均衡電路確保所有電池均衡充電。圖1為DS2726引腳配置。

DS2726引腳功能描述如下：

RSC(引腳1)：短路門限。該引腳到電池組的正極之間的電阻選擇放電方向短路狀態下的門限電壓；RDOC(引腳2)：放電過流電壓門限。該引腳與電池組的正極之間所連接的電阻可選擇過流狀態下在放電方向上的門限電壓；Vcc(引腳3)：穩壓輸出。Vcc為內部電路供應電源，并將配置引腳拉高至VIN該引腳應連接1只至少0．1μF的陶瓷電容旁路至GND；SEL0，SEL1(引腳4、5)：電池組所選電池節數。該引腳為三級輸入。接地或與Vcc相連分別實現邏輯低或邏輯高，懸空則實現中級門限；CDOCD(引腳6)：放電過流延遲時間。該引腳與GND之間所連接的電容用于設置DCFET關斷前放電過流狀態必須保持的時間；SLEEp(引腳7)：睡眠模式選擇輸入。驅動該引腳為邏輯低強制DS2726進入最低功耗狀態。若施加充電電壓，DS2726退出睡眠模式。當CBCFG為高電平，該引腳的邏輯高使能電池均衡；CSCD(引腳8)：短路電流延遲時間。該引腳與CND之間所連接的電容用于設置DCFET關斷前短路電流狀態必須保持的時間；CBCFG(引腳9)：充電均衡配置輸入。當為邏輯低時，若VpKp>VVIN+VCDET，充電均衡使能；當為邏輯高時，若SLEEp引腳為邏輯高，則充電均衡使能；CBS0，CBS1(引腳10、11)：選擇電池均衡電壓。該引腳輸入為三級輸入，接地或接VCC分別實現邏輯低或邏輯高，懸空則實現中級門限；OVS0，OVS1(引腳12、13)：選擇過壓門限。該引腳輸人為三級輸入，接地或接VCC分別實現邏輯低或邏輯高，懸空則實現中級門限。N．C(引腳14、30)：懸空，內部無連接；GND(引腳15)：接地。接至最低電壓電池的負極；V00~V10(引腳16～26)：負極電壓檢測。連接至電池組中的第一節電池的負極；VIN(引腳27)：連接至最大電池正極；DC(引腳28)：放電控制輸入。CC控制充電FET的柵極，驅動pKp至VOLCC，并導通或關斷充電FET；SNS(引腳29)：檢測輸入。連接至充電和放電FET的漏極。作為基準電壓檢測短路和放電過流狀態；CC(引腳31)：充電控制輸人。CC控制充電FET的柵極，驅動pKp至VOLCC，并導通或關斷充電FET；pKp(引腳32)：電池組正極。pKp電壓用于檢測充電器附件或保護釋放狀態。

3DS2726設計應用

在DS2726典型應用電路的基礎上，通過簡單的設計修改，可利用DS2726Li+電池保護器承受負電壓，在充電器反接時為電池供應保護。圖2為采用DS2726的電池保護電路。

3．1保護pKp引腳

pKp引腳容易暴露在充電反接電壓下，典型應用電路中，該引腳已接有1個肖特基二極管，能夠防止感應沖擊(出現過流)，使該引腳拉至地電位以下。唯一要修改的是提高pKp阻抗，從而限制流過肖特基二極管的電流。10節電池使用42V充電器。60V肖特基二極管具有Vf=0．45V。RpKp電壓為：-42V-(-0．45V)=-41．55V。假設使用250mW的電阻則：250mW=(-41．55V)2/RpKp，其中，RpKp=6．905kΩ。

3.2利用變阻器保護CCFET

CC是另一個暴露于負電壓的引腳，正常工作條件下，CC驅動充電控制器FET的柵極，電壓擺幅達到pKp引腳電壓以關斷場效應管。CC引腳拉至pKp電壓以下約10V時，FET導通。由于pKp將被箝位在-0．45V，CC無法打開FET。然而，充電控制FET只能承受±20V的柵-源電壓。假如在充電控制器FET的柵極和源極之間新增變阻器V2，可保護CCFET免于損壞。假如沒有V2，柵-源電壓將達到-42V左右，這將超出FET的額定值。

變阻器V2在16V打開，箝制柵-源電壓。則CCFET電壓為：-42V+16V=-26V。CC電阻兩端的壓降：-26V-(-0.45V)=-2555V。假定使用250mW的電阻則：250mW=(-25．55V)2/RCC其中，RCC=1．857kΩ。

更大的CC和pKp電阻會導致充電控制器FET的通／斷時間增大，從而使FET打開時在線性區域停留較長時間。實際應用中這個問題并不嚴重，因為電流受充電器限制。

3．3箝位SNS引腳

盡管CCFET關斷，負電壓用途在pK+使其體二極管導通。使SNS出現負電壓，SNS是最后一個要肖特基二極管箝位的引腳。保護FET漏極電壓：-42V+O．6V=-41.4V。SNS引腳電壓將箝位在-0．45V。SNS電阻兩端壓降：-41.4V-(-0．45V)=-39．95V。假設使用250mW的電阻：250mW=(-39．95V)2／RCC，其中，RCC=6．384kΩ。比較器SNS引腳將吸收約1μA電流：1μA×6．384kΩ=6．384mV。

這將在過電流門限引入誤差約6.4mV。假如使用額定功率更大的電阻，可以減小電阻值，從而降低這個誤差。注意：SNS端的RC濾波器時間常數隨著電阻的提高而改變。因此，電容值也要相應改變，以維持適當的時間常數。SNS的時間常數應該與RDOC和RSC時間常數相一致。假如這些引腳的時間常數不一致，會在過流門限引入額外誤差。

4結論

DS2726Li+電池保護器經過電路修改后，能夠在充電器反接時保護電池組。設計中雖然作出了一些折中考慮，但不會對保護器的整體工作性能造成影響。本文計算假設使用額定功率為250mW的電阻。假如選擇額定功率更大的電阻，可以減小電阻值。較小的阻值有助于降低對過流門限出現的誤差電壓，也可以減小通／斷時間。還需注意的是確保不要超過肖特基二極管的額定電流。