在設計工業控制的輔助電源時，可采用美國pI公推出的TinySwitch-Ⅲ系列第三代微型開關電源。目前，世界通用的交流輸入電壓范圍是u＝85～265V。但是當18V＜u＜75V時，芯片就無法供應足夠的偏壓以維持正常工作，這就大大限制了TinySwitch-Ⅲ系列產品在低壓領域的應用。為解決上述難題，使TinySwitch-Ⅲ在超低交流輸入電壓下也能正常工作，就要從外部設計一個懸浮式高壓恒流源。

TinySwitch-Ⅲ系列產品的性能特點

TinySwitch-Ⅲ系列產品包括TNY274p～TNY280p、TNY274G～TNY280G等共14種型號。該系列產品重要有以下特點：

●TinySwitch-Ⅲ系列產品的最大輸出功率為36.5W（TNY280p/G型）。通過選擇Bp/M端的電容量，可從外部設定內部漏極限流點。該系列產品中除TNY274p/G之外，每種型號都有3種不同的極限電流值可供用戶選擇。其優點是在用相鄰型號進行替換時，無須重新設計高頻變壓器，也不用改變外圍元件。

●用戶可分別從實現電源效率最大化、獲得最大輸出功率的角度來優化電源設計。選擇較高的漏極限流點可獲得更高的峰值功率，或者在敞開式電源模塊中得到更高的持續輸出功率；而較低的極限電流值可提高密封式電源適配器/電池充電器的效率。

●傳統的脈寬調制（pWM）式開關電源的效率隨負載的減輕而明顯降低。TinySwitch-Ⅲ則采用開/關控制方式，能滿足對待機電源及空載功耗節能標準的要求，空載功耗低于150mW；新增偏置繞組后可降到50mW以下。

●具有輸入欠電壓保護、輸出過電壓保護和功率開關管自適應導通時間延長功能。

TinySwitch-Ⅲ系列微型開關電源的工作原理

TinySwitch-Ⅲ的內部框圖如圖1所示，其中，S、D分別為內部功率MOSFET的源極與漏極（4個源極在內部連通）。EN/UV為“使能/欠電壓”雙功能引出端，正常情況下，通過該端可控制功率MOSFET的通、斷；若在該端與直流輸入電壓之間連接一只外部電阻，即可檢測輸入是否欠電壓。Bp/M為旁路/多功能端，單純作旁路端使用時，該端與地（S極）之間接0.1μF的旁路電容。Bp/M端還具有多功能端的特性：首先是改變旁路電容的容量，即可設定漏極限流點；其次，該端還能供應關斷功能，具體方法是在反饋電壓的輸出端與Bp/M端之間接一只穩壓管，即可實現輸出過電壓保護。

圖1TinySwitch-Ⅲ的內部框圖

TinySwitch-Ⅲ內部集成了一個耐壓為700V的功率MOSFET和一個開/關控制器。與傳統的pWM控制器不同，它采用一個簡單的開∕關控制器來調節輸出電壓。內部重要包括振蕩器，5.85V穩壓器，旁路端鉗位用的6.4V穩壓管，使能檢測與邏輯電路，極限電流狀態機，欠電壓、過電流及過熱保護電路和自動重啟動計數器。

TinySwitch-Ⅲ的極限電流ILIMIT與旁路電容CBp的對應關系見表1。以TNY279p/G為例，當旁路電容CBp＝0.1μF時，選擇標準極限電流ILIMIT＝650mA（典型值，下同）；當旁路電容CBp＝1μF時，選擇較低的極限電流ILIMIT-＝550mA；當旁路電容CBp＝10μF時，選擇較高的極限電流ILIMIT＋＝750mA，三者之間依次相差100mA。這種設計的最大優點是能保證相鄰型號之間具有良好的兼容性。例如，TNY279p/G的ILIMIT-＝550mA，這恰好是相鄰型號TNY278p/G的極限電流值；而TNY279p/G的ILIMIT＋＝750mA，這正是相鄰型號TNY280p/G的極限電流值，余者類推。

超寬輸入范圍的工業控制電源的電路設計

由TinySwitch-Ⅲ系列產品TNY280p構成3W超寬輸入范圍的工業控制電源的電路如圖2所示。該電源的顯著特點是交流電壓輸入范圍極寬（18～265V），輸出電壓為＋5V，輸出電流為600mA。電源效率可達65%，當交流輸入電壓為230V時的空載功耗低于200mW。該電源的應用領域包括工業控制所用的輔助電源。

圖2由TNY280p構成3W超寬輸入范圍的工業控制電源的電路

TinySwitch-Ⅲ系列產品能夠正常啟動和工作的最低漏極電壓為50V。通常情況下，當交流輸入電壓u＞85V時，芯片可供應自供偏壓。但是當18V＜u＜75V時，芯片就無法供應足夠的偏壓以維持正常工作，這就大大限制了TinySwitch-Ⅲ系列產品在低壓情況下的應用。為解決上述難題，使TinySwitch-Ⅲ在超低交流輸入電壓下也能正常工作，要從TNY280p外部新增一個懸浮式高壓電流源，以便在低壓時給旁路端Bp/M繼續供電。懸浮式電流源的電路如圖3所示。它包括7.5V穩壓管VDZ1（1N5236B）、pNp型晶體管VT1（ZTX558）、NpN型晶體管VT2（ZTX458）、二極管VD2和VD4、電阻R4～R6。其中，VD2為半波整流管；VD4為隔離二極管，可將電流源與其他電路隔離開。

圖3懸浮式電流源的電路

ZTX558和ZTX458均為英國Zetex半導體公司（ZetexSemiconductors）生產的高反壓晶體管。其中，ZTX558屬于pNp型高反壓晶體管，重要參數為當基極開路時集電極-發射極的反向擊穿電壓U(br)CEO＝－400V，當發射極開路時集電極–基極的反向擊穿電壓（亦即集電結反向擊穿電壓）U(br)CBO＝－400V，最大集電極電流ICM＝－200mA，共發射極電流放大系數hFE≤300，最大功耗pCM＝1W。ZTX458則屬于NpN型高反壓晶體管，重要參數為U(br)CEO＝400V，U(br)CBO＝400V，最大集電極電流ICM＝300mA，hFE≤300，pCM＝1W。

18～265V的交流電壓經過VD2半波整流后，得到呈脈動直流的偏置電壓UB，加至懸浮式電流源的輸入端。該電流源能在整個輸入電壓范圍內向TNY280p的Bp/M端大約供應600μA的恒定電流。首先假定該電路只用晶體管VT2，則可認為由穩壓管VDZ1給VT2的基極供應一個參考電位UB2。由于VT2的發射結電壓（UBE2）與R5上的壓降（UR5）之和就等于穩壓管的穩定電壓值UZ，而當環境溫度不變時UBE2近似為恒定電壓，因此UR5也為一個固定電壓，利用R5即可設定恒流值。然而，實際上交流輸入電壓的范圍很寬，由穩壓管供應的偏置電流的變化范圍很大，這會導致所設定的恒流值發生偏移。要克服上述難題，要由pNp型晶體管VT1和R4再供應一個恒定的偏置電流。令VT1的發射結電壓為UBE1，通過R4所設定的恒定偏置電流IB1＝UBE1/R4。顯然，IB1不受輸入電壓變化的影響。

偏置電壓（UB）與總偏置電流（IB）的關系曲線如圖4所示。由圖可見，VT2在較低輸入電壓下供應恒定偏置電流IB2，而VT1在較高輸入電壓下供應恒定偏置電流IB1。具體可分為以下3種情況：

圖4偏置電壓與總偏置電流的關系曲線

1當偏置電壓UB≈50V（即整流濾波后的直流輸入電壓UI≈50V）時，由VT2給TNY280p供應恒定的偏置電流IB2，此時總偏置電流IB＝IB2。

2當偏置電壓UB＞50V時，流過VT2的電流將線性地減小，而流過VT1的電流線性地增大，此時由VT1、VT2共同給TNY280p供應恒定的偏置電流，總偏置電流IB＝IB1＋IB2，其中的IB2＞IB1。

3當偏置電壓達到最大值（UB＝375V）時，重要由VT1供應恒定的偏置電流，IB＝IB1＋IB2，但其中的IB1＞IB2。

該電路所供應的總偏置電流IB≈600μA。

18～265V交流輸入電壓經過由VD1、C1和C2組成的半波整流濾波電路，獲得直流輸入電壓UI，為反激式開關電源供應高壓直流。C1、C2還與電感器L構成π形濾波器，用于降低串模電磁干擾。在高頻變壓器的一次繞組與二次繞組之間使用了Y電容C7，可濾除共模干擾。一次側鉗位電路由VD3（1N4007Gp）、R1、R2和C3組成。整流管VD5采用BYV27-200型2A/200V的超快恢復二極管，其反向恢復時間trr＜25ns。輸出電壓由穩壓管VDZ2、光耦合器pC817A中的LED壓降之和來設定。VDZ2采用4.3V穩壓管1N5229B，LED的正向壓降近似為1V，所設定的空載輸出電壓為5.3V。

TNY280p采用開/關控制方式，它經過光耦合器來接收二次繞組的反饋電壓，再通過使能或禁止內部MOSFET的開/關，使輸出電壓保持穩定。一旦從EN/UV端流出的電流超過關斷閾值電流（115μA），將跳過開關周期；當EN/UV端流出的電流小于關斷閾值電流時，開關周期將重新使能。

設計要點

1高頻變壓器采用EF20型鐵氧體磁心，一次繞組用Φ0.33mm漆包線繞32匝。二次繞組用Φ0.40mm漆包線繞8匝。一次繞組的電感量Lp＝278μH（允許有±12%的誤差），最大漏感量Lp0＝12μH。一次繞組的最低諧振頻率為1MHz。

2由于該電源的輸入電壓范圍非常寬，因此一次繞組的電感量Lp必須足夠小（實際選278μH），以便使TNY280p工作在持續模式的邊緣處。但是當Lp較小時會導致電流上升率di/dt增大，必要時可選用TinySwitch-Ⅲ系列產品中輸出功率較大的芯片。

3鉗位電路中R1的阻值不宜過小，否則會使空載功耗增大。