柵極，源極，漏極，三個名字是從英文而來的。

柵極（gateelectrode）gate，門的意思，中文翻譯做柵，柵欄。electrode，電極。

源極（source）source資源，電源，中文翻譯為源極。起集電作用的電極。

漏極（drain）drain排出，泄漏，中文翻譯為漏極。起發(fā)射作用的電極。

柵極

由金屬細(xì)絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強(qiáng)度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

源極

源極簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。

漏極

漏極在兩個高摻雜的p區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)（N區(qū)一般做得很薄），形成了兩個pN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個歐姆接觸電極，在兩個p區(qū)上也做上歐姆電極，并把這兩p區(qū)連起來，就構(gòu)成了一個場效應(yīng)管。

一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)電，因此稱為雙極型晶體管，而FET僅是由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，它與雙極型相反，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件，具有輸入電阻高（10^8～10^9Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者

在兩個高摻雜的p區(qū)中間，夾著一層低摻雜的N區(qū)（N區(qū)一般做得很薄），形成了兩個pN結(jié)。在N區(qū)的兩端各做一個歐姆接觸電極，在兩個p區(qū)上也做上歐姆電極，并把這兩p區(qū)連起來，就構(gòu)成了一個場效應(yīng)管。

N型導(dǎo)電溝道結(jié)型場效應(yīng)管的電路符號。

將兩個p區(qū)的引出線連在一起作為一個電極，稱為柵極，在N型硅片兩端各引出一個電極，分別稱為源極和漏極，很薄的N區(qū)稱為導(dǎo)電溝道。共漏極放大電路——源極輸出器

柵極簡稱為G，源極簡稱為S，漏極簡稱為D。

3DJ6場效應(yīng)管怎樣區(qū)分源極和漏極

3DJ6是國產(chǎn)的N溝道結(jié)型場效應(yīng)管，該管常見的是金屬圓殼封裝的（外形與3DG6三極管一樣），亦有少數(shù)采用TO-92封裝的。其外形及引腳排列如下圖所示。

3DJ6場效應(yīng)管的外形。

3DJ6場效應(yīng)管的引腳排列。

3DJ6的引腳排列如上圖所示，金屬圓殼封裝是最常見的封裝。3DJ6場效應(yīng)管的主要參數(shù)為：耐壓值為20V，功率pD為100mW，漏極電流IDSS的大小與后綴字母有關(guān)，該管后綴字母不同，IDSS也不一樣。3DJ6D的IDSS為0.35～0.5mA，3DJ6E為0.3～1.2mA，3DJ6F為1.0～3.5mA，3DJ6G的IDSS為3.0～6.5mA，3DJ6H為6.0～10mA。

N溝道結(jié)型場效應(yīng)管3DJ6的基本應(yīng)用

3DJ6構(gòu)成的可調(diào)恒流源電路。

3DJ6結(jié)型場效應(yīng)管的輸入阻抗高，輸入噪聲小，以前常用來作為擴(kuò)音機(jī)前級電路的低噪聲放大器和阻抗變換器。在穩(wěn)壓電源電路中，還常用該管代替恒流二極管作為恒流元件，以提高穩(wěn)壓電源的穩(wěn)壓性能。

上圖中，3DJ6和電阻R組成一個可調(diào)恒流源，RL為負(fù)載電阻（其可以是穩(wěn)壓管或LED等負(fù)載）。本電路只要調(diào)整R的阻值，即可改變恒定電流（即流入負(fù)載的電流）的大小，并且這個恒定電流的大小幾乎與電源電壓無關(guān)。在電阻R的阻值為0Ω時，輸出的恒定電流最大，此時該電流就是3DJ6的IDSS。若需要較大的恒定電流，可以選用IDSS大的3DJ6H。另外，若將多個3DJ6H并聯(lián)或采用雙極型三極管擴(kuò)流可以獲得數(shù)十mA或上百mA的恒定電流。