電動(dòng)工具、園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節(jié))鋰離子電池供電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)。BLDC電機(jī)效率更高、維護(hù)少、噪音小、使用壽命更長(zhǎng)。

驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率級(jí)的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護(hù)可靠、峰值電流承載能力強(qiáng)。小尺寸可實(shí)現(xiàn)工具內(nèi)的功率級(jí)的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設(shè)計(jì)。高效率可提供最長(zhǎng)的電池壽命并減少冷卻工作。可靠的操作和保護(hù)可延長(zhǎng)使用壽命，有助于提高產(chǎn)品聲譽(yù)。

為在兩個(gè)方向上驅(qū)動(dòng)BDC電機(jī)，您需要使用兩個(gè)半橋(四個(gè)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET))組成一個(gè)全橋。要驅(qū)動(dòng)三相BLDC電機(jī)，需要使用三個(gè)半橋(六個(gè)MOSFET)組成一個(gè)三相逆變器。

使用TI的采用堆疊管芯架構(gòu)的CSD88584Q5DC和CSD88599Q5DC電源模塊(小型無(wú)引線(SON)，5mm6mm封裝)，您可通過(guò)兩個(gè)電源模塊和只帶三個(gè)電源模塊的三相BLDC電機(jī)在兩個(gè)方向驅(qū)動(dòng)電機(jī)，如圖1所示。每個(gè)電源模塊連接兩個(gè)MOSFET(高側(cè)和低側(cè)MOSFET)，組成一個(gè)半橋。

圖1：不同電機(jī)驅(qū)動(dòng)拓?fù)渲械墓β蕢KMOSFET

我們來(lái)看看這些功率塊可帶給無(wú)繩工具電機(jī)驅(qū)動(dòng)子系統(tǒng)設(shè)計(jì)的優(yōu)勢(shì)。

功率密度倍增

CSD885x功率塊中的雙重堆疊芯片技術(shù)使印刷電路板(pCB)面積達(dá)到了之前的兩倍，與分立MOSFET相比，pCB占地面積減少了50%。

與相同性能級(jí)別的分立MOSFET(5mm6mm)相比，在同一封裝中集成兩個(gè)FET的功率塊可讓用于逆變器拓?fù)涞娜鄍CB面積減少90mm2(3x5mm-6mm)。MOSFET互連軌道將與在帶分立MOSFET的pCB中運(yùn)行，而更高的工作電流也要求更寬的pCB軌跡，因此pCB尺寸的節(jié)省值實(shí)際上遠(yuǎn)超90mm2。大多數(shù)無(wú)繩電動(dòng)工具應(yīng)用至少使用四層pCB，銅厚度大于2盎司。因此，通過(guò)電源模塊節(jié)省pCB尺寸可大大節(jié)省pCB成本。

具有低寄生效應(yīng)的清潔MOSFET開(kāi)關(guān)

圖2所示為功率級(jí)pCB設(shè)計(jì)中由元件引線和非優(yōu)化布局引起的寄生電感和電容。這些pCB寄生效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致電壓振鈴，從而導(dǎo)致MOSFET上的電壓應(yīng)力。

圖2：功率級(jí)半橋中的寄生電感和電容。

振鈴的原因之一是二極管反向恢復(fù)。由快速開(kāi)關(guān)引起的高電流變化率可能導(dǎo)致高二極管反向恢復(fù)電流。反向恢復(fù)電流流經(jīng)寄生布局電感。由FET電容和寄生電感形成的諧振網(wǎng)絡(luò)引起相位節(jié)點(diǎn)振鈴，減少了電壓裕度并增加了器件的應(yīng)力。圖3所示為由于電路寄生效應(yīng)引起的具有分立MOSFET的相位節(jié)點(diǎn)電壓振鈴。

使用電源模塊時(shí)，具有連接兩個(gè)MOSFET的開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)夾將高側(cè)和低側(cè)MOSFET之間的寄生電感保持在絕對(duì)最小值。在同一封裝中使用低側(cè)和高側(cè)FET可最大限度地減少pCB寄生，并減少相節(jié)點(diǎn)電壓振鈴。使用這些電源模塊有助于確保平滑的驅(qū)動(dòng)MOSFET開(kāi)關(guān)，即使在電流高達(dá)50A時(shí)也不會(huì)出現(xiàn)電壓過(guò)沖，如圖4所示。

圖3：具有分立MOSFET的相節(jié)點(diǎn)電壓振鈴和電壓過(guò)沖

圖4：帶有電源模塊的清潔相位節(jié)點(diǎn)切換波形

低pCB損耗，pCB寄生電阻降低

功率塊有助于減少pCB中高電流承載軌道的長(zhǎng)度，從而減少軌道中的功率損耗。

讓我們了解分立FET的pCB軌道要求。頂部和底部分立MOSFET之間的pCB軌道連接導(dǎo)致pCB中的I2R損耗。圖5所示為將頂部和底部分立MOSFET并排連接時(shí)的銅軌道;這是可將電機(jī)繞組連輕松連接到pCB的常見(jiàn)布局之一。連接相位節(jié)點(diǎn)的銅面積的長(zhǎng)度為寬度的兩倍(軌道寬度取決于電流，軌道寬度通常受電路板的外形尺寸限制)。或者，您可以上下排列頂側(cè)和底側(cè)分立MOSFET，保持在相位節(jié)點(diǎn)之間。但是由于需要提供將電機(jī)繞組連接到相位節(jié)點(diǎn)，您可能無(wú)法減少軌道長(zhǎng)度，并且這種布置可能不適合所有應(yīng)用。

若設(shè)計(jì)的pCB銅厚度為2oz(70m)，則連接圖5所示的相位節(jié)點(diǎn)的單層pCB軌道將具有約0.24m的電阻。假設(shè)軌道存在于兩個(gè)pCB平面中，則等效pCB電阻為0.12m。對(duì)于三相功率級(jí)，您有三個(gè)這樣的pCB軌道。您也可對(duì)直流電源輸入和返回軌道進(jìn)行類似的分析。

電源模塊具有單個(gè)封裝中的頂側(cè)和底側(cè)MOSFET，以及通過(guò)封裝內(nèi)的金屬夾連接的相位節(jié)點(diǎn)，可優(yōu)化寄生電阻，并為布局提供靈活性，并可節(jié)省最小的0.5至1m的總pCB電阻。

圖5：具有分立MOSFET的典型相位節(jié)點(diǎn)軌道長(zhǎng)度

卓越的散熱性能，雙重冷卻

CSD885x電源模塊采用DualCool?封裝，可在封裝頂部實(shí)現(xiàn)散熱，從而將熱量從電路板上散開(kāi)，提供出色的散熱性能，并提高在5mm6mm封裝中的功率。根據(jù)數(shù)據(jù)手冊(cè)規(guī)范，功率塊具有1.1C/W的結(jié)到底殼體熱阻，和2.1C/W的結(jié)到頂殼體的熱阻。您可優(yōu)化功率塊底殼的pCB或功率塊的頂蓋的散熱片的冷卻功能。圖6所示為在1kW，36V三相逆變器pCB(36mm50mm)內(nèi)使用三個(gè)CSD88599Q5DC雙冷60V電源模塊測(cè)試的頂側(cè)公共散熱器(27mm27mm23mm)的結(jié)果，不帶任何氣流。在測(cè)試期間，散熱器和功率塊頂殼之間使用具有低熱阻抗(Rθ

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