石墨烯是一個很神奇特殊的導體，有關于石墨烯納米薄帶超過理論導電極限又是怎樣的呢。

　　石墨烯納米條帶可能在納米電子學上超越銅。石墨烯納米條帶通常通過剝離石墨烯生產。但這種方法生產的石墨烯納米條帶較寬，且會有無序和邊緣缺陷，這會導致電阻高和電荷承載性能較差。

　　雖然石墨烯在總體上已被證明具有很好的導電性能，但這不適用于光刻圖案石墨烯納米結構的情況。研究結果表明，外延生長碳化硅石墨烯條帶的導電性能超過了完美石墨烯理論預測極限。

　　該團隊利用他們在2010年首次報道的方法制備了納米條帶，用光刻圖案電子級碳化硅基片，以創(chuàng)建傾斜的壁面模板。基片被加熱，溝槽的壁面結晶，其次是狹窄的40nm寬的石墨烯薄帶生長，關鍵是生長的石墨烯條帶邊緣光滑。

　　通過標準電氣測量該石墨烯納米條帶的阻力，類似于測量宏觀導線電阻的方式進行測試。然而，在這種情況下，需要一個測量納米級物體等量的歐姆表。這需要用電子顯微鏡來定位歐姆表。

　　石墨烯條帶類似于一個單模波導，出于某種原因，只涉及單一量子力學模式，而不是理論預測的至少兩個。

　　在剝離的石墨烯中，電子通常由缺陷和晶格振動產生散射。但是，似乎外延生長的石墨烯納米帶防止這樣的電子散射，電子的輸運受到保護。

　　美國萊斯大學參與石墨烯納米條帶研究的參與者評論，這項研究在石墨烯研究領域具有里程碑意義，這是石墨烯電子領域令人鼓舞的展示。